[24a-E204-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[24a-E204-6] TiN/Hf/MgOx/Pt/Ti-ReRAMにおける電圧スイープ下での抵抗変化挙動

〇木村 洸希¹、野下 知弥²、畠中 林太郎¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関西大理工学研究科、2.関西大シス理)

キーワード：抵抗変化メモリ

近年、データ処理におけるボトルネックを解消し得る高速動作の不揮発性メモリとしてReRAMが期待されている. MgOxをスイッチング層に用いたReRAMは低消費電力で動作する可能性が報告されている. 今回我々はMgOxをスイッチング層に用いたReRAMに関して、金属Mg膜を大気中熱処理で酸化してMgOx層を形成する方法を用いた.上部電極にTiNもしくはTiN/Hf積層膜を用いた2種類の素子について、スイッチング特性の比較を検討した.