[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24a-E302-10] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響

〇溝端 秀聡¹、和田 悠平¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、細井 卓治¹、加地 徹²、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.名大　IMaSS)

キーワード：超高圧活性化熱処理、Mgイオン注入、N極性窒化ガリウム

縦型GaNパワーデバイスの実現には高品質なMOS構造の形成が不可欠である。しかし，GaN MOS界面の価電子帯近傍には多量の欠陥の存在が示唆されている。以前に我々は，超高圧活性化熱処理（UHPA）を施したMgイオン注入Ga極性GaN上のMOSデバイスにおいて，MOS界面近傍の正孔移動度が極めて低いことを報告した。本研究では，その改善に向けて基板極性（GaおよびN極性面）およびアクセプタ濃度の影響について調べたので報告する。