[24a-E302-1~13] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [24a-E302-12] Investigation of the cause of hole traps at the GaN/SiO₂ interface and countermeasures

〇Shuto Hattori¹, Kenta Chokawa², Atsushi Oshiyama², Kenji Shiraishi^2,1 (1.School of Engineering, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, hole traps, MOSFET

電力効率・動作速度の優れた次世代パワーデバイスであるGaN-MOSFETの研究開発が、現在盛んに行われている。その中でGaN/SiO₂界面の特性を調べる実験が行われ、界面に多量のホールトラップの存在が報告されている。我々は第一原理MD計算によってGaN/SiO₂界面のホールトラップの原因は界面のGa-O-Si結合中のOのlone pairであることを解明した。また、このホールトラップは界面へのAlの挿入で抑制できることを理論的に示した。