[24a-E302-1~13] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [24a-E302-11] Evaluation of Hole Traps in GaN MOS Structures by Ultraviolet Light Illumination

〇Kazuki Tomigahara¹, Takato Nakanuma¹, Hidetoshi Mizobata¹, Mikito Nozaki¹, Takuma Kobayashi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, MOS device, Hole traps

我々は，SiO₂/GaN構造に酸素熱処理を施すことで，電子トラップが低減することを報告してきた．一方，GaN MOS界面では正孔伝導が極めて困難であることを指摘しており，正孔トラップの詳細な評価が必要である．本研究では比較的入手が容易なn型GaN基板上にMOSキャパシタを作製し，紫外光照射により少数キャリアである正孔を誘起することで，正孔トラップの評価を行ったので報告する．