[24a-E302-1~13] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[24a-E302-4] Threshold Voltage Shift under Positive Bias Stress in Vertical GaN Trench MOSFETs

〇Mitsuki Inagaki¹, Tohru Oka^1,2, Nariaki Tanaka², Kazuya Hasegawa², Takatomi Izumi², Jun Suda¹ (1.Nagoya Univ., 2.Toyoda Gosei)

Keywords:GaN, MOSFET, Threshold Voltage Shift

縦型GaNトレンチMOSFETの実用化に向けてデバイスの特性変動の制御が重要な課題となる．特性変動の1つとしてゲートバイアス印加によるしきい値電圧(V_TH)の変動がある．本研究では縦型GaNトレンチMOSFETの正バイアスストレスによるV_TH変動を評価した．