[24a-E302-1~13] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[24a-E302-3] Demonstration of normally-off operation in EID AlGaN/GaN MOS-HEMT

〇Takuma Nanjo¹, Tomohiro Shinagawa¹, Tatsuro Watahiki¹, Naruhisa Miura¹, Takashi Egawa² (1.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, 2.Nagoya Inst. of Tech)

Keywords:semiconductor, GaN, HEMT

AlGaN/GaNヘテロ界面の2DEGを、SiO2膜堆積とその直後の高温熱処理プロセスによって制御する新規技術を開発した。本報告では、この技術をドリフト領域に適用した新規のHEMT構造を提案する。さらに、これをSi基板上に作製し高耐圧/低オン抵抗のノーマリオフ動作を実証した。