[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24a-E302-4] 縦型GaNトレンチMOSFETの正バイアスストレスによるしきい値変動

〇稲垣 光希¹、岡 徹^1,2、田中 成明²、長谷川 一也²、泉 貴富²、須田 淳¹ (1.名大、2.豊田合成)

キーワード：GaN、MOSFET、しきい値変動

縦型GaNトレンチMOSFETの実用化に向けてデバイスの特性変動の制御が重要な課題となる．特性変動の1つとしてゲートバイアス印加によるしきい値電圧(V_TH)の変動がある．本研究では縦型GaNトレンチMOSFETの正バイアスストレスによるV_TH変動を評価した．