[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24p-E103-14] 青色ダイレクトダイオードレーザを用いたスパッタ製膜a-Si膜の結晶化(その2)

〇菱田 光起¹、宮野 謙太郎¹、小畑 直彦¹、信岡 政樹¹、野口 隆²、岡田 竜弥² (1.パナソニック スマートファクトリーソリューションズ(株)、2.琉球大 工)

キーワード：レーザーアニール、青色レーザー、ポリシリコン

光吸収の観点から銅材料の溶接及び切断用光源で着目されている青色レーザに、波長合成 (WBC）技術を用いビームパラメータ積 (BPP)が2 mm･mrad以下、高パワー密度となる光源を開発した。
更に、青色レーザは、a-Si膜に照射することでSi膜を平坦性よく結晶化でき、レーザ照射エネルギー密度を変えるだけで粒径数10 nm程度の微小粒径から数100 nm程度の結晶粒化、さらにレーザ照射方向に数 µm以上伸びる結晶粒が得られることが報告されている。今回、WBC技術により形成された青色レーザに、量産化と面内均一化を主目的とした一軸のみ長いラインレーザ光源(100μm×50㎜)を構成し、a-Si膜に照射実験を試みた。