[24p-E103-1~17] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[24p-E103-6] Formation of Phosphorus Doped N-type Silicon Thin Film Using Sputter Epitaxy

〇(M1C)Hiroya Esaki¹, Nobumitsu Hirose², Akifumi Kasamatsu², Toshiaki Matsui², Yoshiyuki Suda³, Takahiro Tsukamoto¹ (1.Univ. of Electro-Comm., 2.NICT, 3.Tokyo Univ. of Agric. & Technol.)

Keywords:Epitaxy, Activation, Doping

ドーピング技術は最も重要な半導体デバイス製造プロセスの一つである．スパッタエピタキシー法で，成膜温度を制御して，ヘテロエピタキシャル薄膜の成長を行い，急峻なドーパントプロファイルを実現した．本講演ではスパッタエピタキシー法を用いて作製したPドープn型Si薄膜の電気的特性及びドーパントプロファイルについて報告する．