[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24p-E103-6] スパッタエピタキシー法を用いたPドープn型Si薄膜の形成

〇(M1C)江崎 大也¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、松井 敏明²、須田 良幸³、塚本 貴広¹ (1.電気通信大学、2.情報通信研究機構、3.東京農工大学)

キーワード：エピタキシー、活性化、ドーピング

ドーピング技術は最も重要な半導体デバイス製造プロセスの一つである．スパッタエピタキシー法で，成膜温度を制御して，ヘテロエピタキシャル薄膜の成長を行い，急峻なドーパントプロファイルを実現した．本講演ではスパッタエピタキシー法を用いて作製したPドープn型Si薄膜の電気的特性及びドーパントプロファイルについて報告する．