[24p-E103-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [24p-E103-8] 低温スパッタSiO₂ゲート絶縁膜を用いた部分空乏型SOIトランジスタ

〇(M1)大矢 雅人¹、葉 文昌¹、曲 勇作¹ (1.島根大)

キーワード：薄膜トランジスタ、単結晶Si薄膜

我々はこれまで、マイクロシェブロンレーザービーム走査(μCLBS)法で単結晶Si(c-Si)相応の移動度を持つ薄膜トランジスタ(TFT)を作製したが、S値がLSIトランジスタと比較して劣っていた。TFTは低温プロセスであるため、劣る理由はSi膜、SiO₂ゲート絶縁膜、S/Dドーピング領域が考えられる。今回SOI基板を用いて、S/D領域は高温熱拡散法で形成し、SiO₂ゲート絶縁膜のみを低温プロセスであるスパッタ法で形成したトランジスタを作製し、c-Si TFTと比較した。