[24p-E105-1~13] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[24p-E105-5] Improvement of ferroelectricity and suppression of SiO₂ interfacial layer in TiN/ZrO₂/Hf_xZr_1−xO₂/SiO₂/Si-MFS structures using ZrO₂ nucleation layer

〇Takashi Onaya^1,2,3, Toshihide Nabatame², Mari Inoue², Tomomi Sawada², Hiroyuki Ota¹, Yukinori Morita¹ (1.AIST, 2.NIMS, 3.JSPS Research Fellow PD)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, metal/ferroelectric/semiconductor structure, atomic layer deposition

Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜を用いた金属/強誘電体/半導体(MFS)構造を作製する際に、強誘電相を形成するためには400°C以上の熱処理が必要であった。また、熱処理工程でHZO/Si界面にSiO₂界面層(SiO₂-IL)が形成されることが問題となっている。本研究では、HZO膜の強誘電相の形成を促進するZrO₂核生成層を用いて、HZO-MFS構造のSiO₂-ILの成長の抑制と強誘電性の改善について調べた。