[24p-E105-1~13] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[24p-E105-5] ZrO₂核生成層によるTiN/ZrO₂/Hf_xZr_1−xO₂/SiO₂/Si-MFS構造のSiO₂界面層抑制及び強誘電性の改善

〇女屋 崇^1,2,3、生田目 俊秀²、井上 万里²、澤田 朋実²、太田 裕之¹、森田 行則¹ (1.産総研、2.物材機構、3.学振PD)

キーワード：強誘電体HfxZr1−xO2薄膜、金属/強誘電体/半導体構造、原子層堆積法

Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜を用いた金属/強誘電体/半導体(MFS)構造を作製する際に、強誘電相を形成するためには400°C以上の熱処理が必要であった。また、熱処理工程でHZO/Si界面にSiO₂界面層(SiO₂-IL)が形成されることが問題となっている。本研究では、HZO膜の強誘電相の形成を促進するZrO₂核生成層を用いて、HZO-MFS構造のSiO₂-ILの成長の抑制と強誘電性の改善について調べた。