[24p-E105-1~13] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[24p-E105-7] 強誘電性ノンドープHfO₂薄膜を用いたMFSFETにおける界面制御層の効果

〇田沼 将一¹、Joong-Won Shin¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大院工)

キーワード：強誘電性ノンドープHfO2、強誘電体ゲートトランジスタ、RFマグネトロンスパッタ法

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。今回、HfO₂/Si基板界面に化学酸化膜を導入したMFSFETに関する検討を行った。その結果、化学酸化膜を導入することにより、界面特性が向上し、MFSFETの電気特性の向上に有効であることが分かった。