[24p-E105-1~13] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[24p-E105-8] ミストCVD Hf_xZr_1-xO₂強誘電体薄膜のRTA条件・成長基板依存性

〇藤原 悠希¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹、野田 実¹、田中 将¹ (1.京工繊大)

キーワード：二酸化ハフニウムジルコニウム、ミストCVD、強誘電体

ミストCVD法HZO強誘電体薄膜キャパシタのRTA雰囲気及び圧力を変化させた結果、リーク電流、伴うP-E特性への影響が明白であった。特に低圧でリーク電流は増加し、酸素欠陥増大の影響が示唆された。一方、TiN上HZO薄膜に大気圧雰囲気550 ℃スパイクアニールの結果、2e3回のポーリング前処理後に明白な分極反転が得られ、ダブルパルス測定からは約35 %の分極反転成分である約20 uC/cm²が得られた。