[24p-E105-1~13] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[24p-E105-9] 反応性スパッタリングによる(Hf,Zr)O₂薄膜の室温成膜

〇尾内 惇平¹、畑 駿亮¹、大島 元太¹、藤沢 浩訓¹、中嶋 誠二¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：HZO、室温、透明

HfO₂系薄膜は従来の強誘電体薄膜とは異なり，膜厚が10nm程度まで強誘電性を示すとともに，大きな光学バンドギャップを有するため，可視域で透明性の高い強誘電体薄膜として透明電子デバイスへの応用を検討している．我々は反応性スパッタリングを用いて酸素量制御により室温成膜での強誘電性発現を検討している．本研究では，ITO電極上への(Hf,Zr)O₂ (HZO)薄膜の室温成膜について報告する．