[24p-E302-1~16] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[24p-E302-2] Characterization of GaN/Diamond Bonding Interface

〇Jianbo Liang¹, Yasuo Shimizu², Yutaka Ohno², Yasuyoshi Nagai², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:GaN/Diamond bonding, Heat spreader, Interfacial structure

GaN系半導体を利用する次世代高出力・高周波素子の実用化を目指した研究開発が進んでいる。一方、高出力動作時の自己発熱によって局所的に高温化することで、出力と信頼性が大きく低下する課題がある。素子の放熱性を向上するために、最高熱伝導率を有するダイヤモンドによる「GaN-on-diamond」構造の研究開発が行われている[1]。我々はこれまでに、表面活性化接合(SAB)法を用いて常温でGaNとダイヤモンドの直接接合を実現し、高機能性接合界面を得ている[2-4]。今回、接合界面のナノ構造と熱特性を評価した結果について報告する。