[24p-E304-1~10] Introducing 2D Layered Materials into LSI World!

[24p-E304-6] Carrier distribution on MoS₂/WS₂ in-plane heterostructures doped carrier

〇Mina Maruyama¹, Nanami Ichinose², Ryo Kitaura², Susumu Okada¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:TMDC, heterostructure, electronic structure

本研究では、MoS₂/WS₂面内ヘテロ構造体の電子構造、特に、電界によってキャリアがドープされたヘテロ構造体の蓄積キャリア分布を明らかにした。計算の結果、MoS₂/WS₂面内ヘテロ構造体は、タイプIIのバンド端アラインメントを有する半導体であることを明らかにした。キャリアの注入量が小さい場合、キャリアはバンド端を形成する領域のみに注入され、注入キャリア濃度を増加させると、キャリアの分布がシート全体に拡がることを明らかにした。