[24p-E304-1~10] 二次元材料を集積回路に！

[24p-E304-7] ２次元半導体トランジスタにおけるコンタクト、チャネル領域の役割

〇植田 暁子¹、Nipane Ankur²、Teherani James T.² (1.産総研、2.コロンビア大)

キーワード：２次元層状物質、遷移金属ダイカルコゲナイド、デバイスシミュレーション

２次元半導体トランジスタでは、電極は膜の面上に接合されており、コンタクトは通常ショットキー障壁を形成する。そのため、サブスレッショルド領域ではソースコンタクトが、飽和領域ではチャネルが電流を制限すると考えられている。本講演では、むしろサブスレッショルド領域においてチャネルが電流を制限することを示す。この新解釈により、長チャネルFETにおける実験のショットキー障壁の過少見積もりが説明できる。