[25a-E104-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25a-E104-10] [第43回優秀論文賞受賞記念講演] 高アスペクトホールエッチングにおけるストライエーションの形成メカニズム

〇大村 光広¹、橋本 惇一¹、足立 昂拓¹、近藤 祐介¹、石川 勝朗¹、阿部 淳子¹、酒井 伊都子¹、林 久貴¹、関根 誠²、堀 勝² (1.キオクシア、2.名大工)

キーワード：ドライエッチング、高アスペクト、ストライエーション

高アスペクトホールエッチングにおいて、絶縁膜側壁に発生するストライエーション(縦筋状の形状異常)の形成メカニズムを解明した。マスク側壁が平滑であるにも関わらずストライエーションが観察されたため、マスクからの転写以外の原因を調査し、ストライエーションはホール側壁のフルオロカーボン膜に発生した後、孔径の拡大を伴って絶縁膜に水平転写するメカニズムを見出し、発生領域がアスペクト比に依存する事を示した。