[25a-E104-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25a-E104-5] Ar/F₂プラズマとBCl₃の交互供給によるAlGaN原子層エッチングでの組成比制御

〇中村 昭平^1,2、谷出 敦^1,2、木村 貴弘¹、灘原 壮一^1,2、石川 健治²、小田 修²、堀 勝² (1.SCREENホールディングス、2.名古屋大学)

キーワード：原子層エッチング

GaNデバイスのゲート直下のAlGaNは組成比を維持した原子層オーダーのエッチングが望まれる。従来のALEではエッチング後のAlGaN表面のAl/(Al+Ga)組成比が減少する課題があった。本研究ではF₂添加ArプラズマとBCl₃ガスの交互供給によりAlとGaの揮発性を制御しエッチング前と差のないAl/(Al+Ga)組成比を得た。