[25a-E104-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [25a-E104-9] 二周波重畳容量結合型プラズマから電極へ入射する高速粒子のイメージング法を用いた角度分布計測

〇市川 景太¹、鈴木 陽香¹、豊田 浩孝^1,2 (1.名古屋大工、2.核融合研)

キーワード：半導体、エッチング、角度分布

プラズマから基板へ入射する高エネルギー粒子の入射角度分布はエッチング精度を決める重要なパラメータの一つであるが、報告例は少ない。本研究では、DF-CCP電極にオリフィスを設け、これを通過した粒子拡がりをマイクロチャネルプレート（MCP）によりイメージング計測することで高速エネルギー粒子の入射角度分布を測定したので報告する。