[25a-E202-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[25a-E202-7] Effects of Solid-Phase Crystallization Temperature on Electron Transport Properties in the In₂O₃:H Thin-Film

〇Yusaku Magari¹, Taiki Kataoka², Mamoru Furuta², Wenchang Yeh¹ (1.Shimane Univ., 2.Kochi Univ. of Tech.)

Keywords:Oxide semiconductor, In2O3, Thin-film transistor

我々はIn2O3スパッタ成膜時の水素雰囲気を制御することで(In2O3:H)、固相結晶化後のキャリア濃度を大幅に低減させることに成功し、多結晶In2O3:H TFTにおいて多結晶Siに匹敵する世界最高性能酸化物TFT(µFE= 139.2 cm2V-1s-1)を報告した。本研究ではIn2O3:H薄膜の固相結晶化温度がキャリア輸送特性に及ぼす影響について検討した。In2O3:H薄膜の局所構造解析や昇温脱離ガス分析から、非縮退In2O3:H薄膜中の水素が欠陥補償に重要な役割を担っていることを明らかにした。