[25a-E202-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[25a-E202-8] Electric Field Thermopower Modulation Analyses of Effective Channel Thickness for InGaO₃(ZnO)_m Thin Film Transistors

〇Takashi Fujimoto¹, Ohta Hiromiti² (1.Hokkaido Univ., 2.RIES-Hokkaido Univ.)

Keywords:transparent amorphas oxide semiconductor

m値を変化させたInGaO₃(ZnO)_m (IGZO_m)薄膜トランジスタを作製し、そのトランジスタ特製を解析した。また、チャネルの熱電能のゲート電圧依存性を調べる(熱電能電界変調法)ことにより、IGZO_m薄膜トランジスタのチャネル厚さの解析を行った。