[25a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [25a-E203-10] 高品質導電性AlInN/GaN DBR形成に向けた水素クリーニング

〇柴田 夏奈¹、稲垣 徹郎¹、長澤 剛¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：半導体