The 69th JSAP Spring Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[25a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Mar 25, 2022 9:00 AM - 12:00 PM E203 (E203)

Hiroto Sekiguchi(Toyohashi Univ. of Tech.), Momoko Deura(Univ. of Tokyo)

9:15 AM - 9:30 AM

[25a-E203-2] The specific step bouncing in AlN by HT-MOVPE

〇(M1)Takumi Miyagawa1, Shota Tsuda1, Tomita Atsushi1, Hideki Hirayama2,3, Yuusuke Takashima1, Yosiki Naoi1,2, Kentaro Nagamatsu1,2 (1.Tokushima Univ., 2.Tokushima Univ. pLED, 3.RIKEN)

Keywords:Aluminum Nitride, crystal growth, step bouncing

AlGaN系深紫外LEDは、AlGaN発光層でのGaのマクロな局在効果が発光効率の改善として有効なことが知られている。この現象は基板のオフ角増大によりAlNの下地層にステップバンチングを発生させることで起こる。本研究では、これまでに報告されてきたサファイア基板の微傾斜オフ角度でのステップバンチングとは異なり、サファイア基板のオフ角による成長の駆動力がすべてバンチングの形成に利用された特異的なステップバンチングが観測された。