[25a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [25a-E203-2] 高温有機金属気相成長法におけるAlNの特異的なステップバンチング

〇(M1)宮川 拓己¹、津田 翔太¹、富田 敦之¹、平山 秀樹^2,3、高島 祐介¹、直井 美貴^1,2、永松 謙太郎^1,2 (1.徳大理工、2.徳大pLED研、3.理研)

キーワード：窒化アルミニウム、結晶成長、ステップバンチング

AlGaN系深紫外LEDは、AlGaN発光層でのGaのマクロな局在効果が発光効率の改善として有効なことが知られている。この現象は基板のオフ角増大によりAlNの下地層にステップバンチングを発生させることで起こる。本研究では、これまでに報告されてきたサファイア基板の微傾斜オフ角度でのステップバンチングとは異なり、サファイア基板のオフ角による成長の駆動力がすべてバンチングの形成に利用された特異的なステップバンチングが観測された。