[25a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25a-E203-7] コールドウォール反応管を用いる六方晶窒化ホウ素薄膜の減圧CVDにおける原料供給量依存性

〇増田 克仁¹、渡邊 泰良¹、田中 佑樹¹、吉岡 陸¹、大石 泰己¹、増田 希良里¹、小南 裕子^1,2、原 和彦^1,2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大創科院、3.静岡電子研)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、化学気相法、サファイア基板

六方晶窒化ホウ素は、電子素子や深紫外発光素子への応用が期待されている材料である。本研究では、原料のBCl₃およびNH₃供給量が成長に与える影響を調査した。結果として、NH₃流量の増加に従い成長速度が低下していることから、原料ガス間の気相反応による成長の阻害が起こり始めたことが示唆される。また、最近の研究から基板表面窒化の影響も考慮する必要があることもわかっている。