[25a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[25a-E203-7] Dependence of the flow rates of source materials on the low pressure CVD of hexagonal boron nitride thin films using a cold-wall reactor.

〇Katsumi Masuda¹, Taira Watanabe¹, Yuki Tanaka¹, Riku Yoshioka¹, Taiki Oishi¹, Kirari Masuda¹, Hiroko Kominami^1,2, Kazuhiko Hara^1,2,3 (1.GSIST Shizuoka Univ., 2.GSST Shizuoka Univ., 3.RIE Shizuoka Univ.)

Keywords:hexagonal boron nitride, chemical vapor deposition, sapphire substrate

六方晶窒化ホウ素は、電子素子や深紫外発光素子への応用が期待されている材料である。本研究では、原料のBCl₃およびNH₃供給量が成長に与える影響を調査した。結果として、NH₃流量の増加に従い成長速度が低下していることから、原料ガス間の気相反応による成長の阻害が起こり始めたことが示唆される。また、最近の研究から基板表面窒化の影響も考慮する必要があることもわかっている。