[25a-E301-1~9] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25a-E301-2] 電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量

〇(M1)元木 秀^1,2、佐藤 真一郎²、佐伯 誠一²、増山 雄太²、山﨑 雄一²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大工、2.量研)

キーワード：シリコン空孔、電子スピン共鳴法、光検出磁気共鳴法