[25a-F307-1~8] 6.4 Thin films and New materials

[25a-F307-2] Fabrication of p-ch MoS₂ Thin FIlm Transistor and Improving the TFT performance by annealing

〇Kousaku Shimizu¹, Naoto Suzuki¹, Daichi Arai¹, Motoki Hanzawa¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:Sulfide material, Thin film transistor, sputter

モリブデン硫化物を用いてp型高移動度薄膜トランジスタを作製した。高性能化を検討するために電極金属やアニール条件について検討を行った結果を報告する。硫化モリブデンは、スパッタにて堆積し、さらに酸素、水との反応を防ぐためにSIO2 を100nm堆積させた。またTFT作製後は、硫黄雰囲気化でアニールを行った。200℃一時間のアニールにて移動度は51.4cm²/Vsを得た。高い信頼性に向けて検討を進めたい。