[25p-E104-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[25p-E104-1] Room-temperature Growth of HfO₂/SiO₂ film by Neutral Beam Enhanced Atomic Layer Deposition

〇Daisuke Ohori¹, Beibei Ge¹, Yi-Ho Chen², Takuya Ozaki¹, Kazuhiko Endo³, Yiming Li², Jenn-Hwan Tarng², Seiji Samukawa^1,2,4 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.NYCU, 3.AIST, 4.AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:Atomic layer deposition, Neutral beam, high-k film

次世代材料であるGeやSiGeを用いたMOSトランジスタ作製において、プロセス中の熱収支を下げつつ高品質なゲート絶縁膜の作製が求められている。本研究では、低温NBEALDを用いて高品質なアモルファスHfO₂薄膜/SiO₂薄膜/Si基板構造の作製を行い、HfO₂薄膜の表面粗さと結晶状態を調べた。