[25p-E104-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [25p-E104-10] Electrical characterization of adhesion property degradation in BN/Si devices

〇(D)Takayuki Matsuda¹, Takashi Hamano¹, Yuya Asamoto¹, Masao Noma², Michiru Yamashita³, Shigehiko Hasegawa⁴, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.SHINKO SEIKI. Co., LTD., 3.Hyogo Prefectural Inst., of Technol., 4.Osaka Univ.)

Keywords:thin film, delamination, Boron nitride

窒化ホウ素（BN）は物理化学的に安定で様々な形態をもつ材料である．sp3結合からなるc-BNは超高硬度を，sp2結合からなるh-BNは高絶縁性を有するため，それぞれハードコーティング，電子デバイスなどへの応用が期待されている一方で，母材との界面近傍に形成される残留応力などによる剥離が問題となっている．今回我々は，様々なBN薄膜における剥離機構を電気特性解析より詳細に検討した．