[25p-E104-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [25p-E104-9] Investigation of Transitional Behaviors in Boron Nitride Film Properties Induced by sp-Bonded Nano-Network Structure Change

〇Takashi Hamano^1,5, Takayuki Matsuda¹, Yuya Asamoto¹, Masao Noma², Shigehiko Hasegawa³, Michiru Yamashita⁴, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.SHINKO SEIKI. Co., LTD., 3.Osaka Univ., 4.Hyogo Pref. Inst. Technol., 5.JSPS Research Fellow)

Keywords:Boron Nitride film, Nano-network structure, Electrical property

窒化ホウ素（BN）は，種々の微視的構造（sp結合ナノネットワーク構造）をとりうる特異な材料である．幅広い応用が期待される高機能BN膜の作製には，sp結合状態の変化に伴う物理特性遷移の包括的理解が不可欠である．本研究では成膜時の入射イオンエネルギーを制御することで，異なるナノネットワーク構造を有するBN膜を作製し，光学的および電気的特性の遷移過程を詳細に解析した．