[25p-E104-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[25p-E104-12] Effect of Noble Gas on a-C:H Film Deposition by Tailored Voltage Waveform-PECVD

〇Daiki Nagamatsu¹, Toshiaki Arima¹, Michihiro Otaka¹, Daisuke Yamashita¹, Kunihiro Kamataki¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Hiroshi Otomo², Takahiro Shindo², Satoshi Tanaka², Tatsuo Matsudo² (1.Kyushu Univ., 2.Tokyo Electron Technology Solutions Limited)

Keywords:Plasma CVD

近年,PECVDによるa-C:H成膜において,イオンエネルギーとイオンフラックスの独立制御が求められている. その解決法の一つとして,基本周波数とその高調波を同時に印加する任意電圧波形（TVWs）放電手法が提案されている[1,2]. 私たちはTVWs-PECVDを用いてa-C:Hを成膜している. 本稿では， a-C:H膜密度と自己バイアス電圧の関係及びNe添加による効果の検討について報告する.