[25p-E104-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[25p-E104-21] Effect of Residence Time of Hydrogen Gas in Hydrogen Plasma Treatment of Mg Oxide

〇Manatsu Kishi¹, Ryohei Kurebayashi¹, Kokoro Suzumura¹, Masahiko Nagasaka², Akiomi Uchiyama², Yasutaka Haga², Akihisa Ogino¹ (1.shizuoka Univ., 2.SINTOKOGIO, LTD.)

Keywords:Hydrogen Plasma, Magnesium-Based Materials, Residence Time

水素ガスの滞在時間を制御しイオン・ラジカル密度を変化させた水素プラズマを酸化マグネシウムに照射し、試料表面への影響を検討した。プラズマ生成における水素ガス流量を低減しガス滞在時間を長くした結果、酸化マグネシウムの水素化が進行した。ガス滞在時間に加え、イオンおよびラジカル照射量と試料温度の影響を併せて検討し報告する。