[25p-E203-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

[25p-E203-10] Etching Characteristics of InGaN and GaN by Hydrogen Iodide Neutral Beam

〇(M1)Takahiro Ishihara¹, Takahiro Sawada¹, Daisuke Ohori¹, Wang Xuelun^3,4, Kazuhiko Endo³, Nobuhiro Natori⁵, Yosuke Tanimoto⁵, Seiji Samukawa^1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.AIST., 4.IMaSS, Nagoya Univ., 5.Showa Denko K.K.)

Keywords:micro LED, neutral beam etching, GaN/InGaN

マイクロLEDではInGaNとGaNを積層させる多重量子井戸構造を用いて、発光強度の向上と発光波長を調整する。さらに塩素中性粒子ビーム(NB)による無欠陥加工により、サイズによらず高い内部量子効率を実現した。一方、InGaNの加工においてIn塩化物の揮発性が乏しく加工速度が非常に遅いため、生産性が低いという問題がある。そこで本研究では、In化合物の揮発性が高いHI NBを用いることでエッチング特性を明らかにし、エッチング速度の向上を試みた。