[25p-E203-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

[25p-E203-9] RF-MBE growth of AlN and GaN on β-Ga₂O₃ (-201) substrates.

〇(M1)Tomoya Yamaguchi¹, Mahiro Hayasaki¹, Mari Hashimoto¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Toru Honda¹, Takeyoshi Onuma¹, Shatoshi Masuya², Kohei Sasaki², Akito Kuramata² (1.Kogakuin Univ., 2.Novel Crystal Tech.)

Keywords:Ga2O3, GaN, AlN

β-Ga₂O₃は大口径基板を融液成長させることが可能で、安価なパワーデバイス用材料として注目されている。しかし、これまでのところ、p型 β-Ga₂O₃は実現していない。そこで、本研究では、p型AlGaNとのヘテロ接合を検討している。今回は、(-201)面へのAlN及びGaNのRF-MBE成長を行った。基板の成長前処理と低温緩衝層の挿入により、多結晶化や基板との剥離の改善、表面平坦性の改善、PL半値全幅の低減、等の結果が得られた。成長条件や、評価結果についての詳細を口頭発表にて行う。