[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [25p-E204-3] 超伝導ソースドレインを有する2DHGダイヤモンドMOSFETの低温動作

〇若林 千幸¹、高橋 泰裕¹、太田 康介¹、新倉 直弥¹、荒井 雅一¹、蔭浦 泰資^1,2、高野 義彦²、立木 実²、大井 修一²、有沢 俊一²、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.物材機構、3.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、超伝導、電界効果トランジスタ

超伝導FETは超伝導電極と半導体チャネルで構成され、超伝導電流の制御が可能である。ダイヤモンドは、単一材料により超伝導体と半導体のハイブリッドデバイスを作製可能であり超伝導FETへの応用に適していると考えられる。このことから超伝導ダイヤモンドソースドレインと水素終端ダイヤモンド2DHGチャネルによるFETについて、極低温環境下でFET動作を評価し、ダイヤモンド超伝導FETの実現可能性を検討した。