[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [25p-E204-6] 電子線照射によるIbタイプダイヤモンド中でのNVセンター形成

〇(PC)石井 秀弥¹、佐伯 誠一¹、小野田 忍¹、増山 雄太¹、阿部 浩之¹、大島 武¹ (1.量子科学技術研究開発機構)

キーワード：NVセンター、量子センサー、ダイヤモンド

ダイヤモンド中のNV（窒素・空孔）センターは、磁場や温度等の微小な物理量を計測するための量子センサーとして期待されている。量子センサーの高感度化には、NVセンターを高濃度に形成することが重要である。ダイヤモンド中にNV センターを形成する方法の一つに電子線照射法があり、高濃度のNVセンターを形成する有力な手法として知られている。電子線照射によって導入される空孔とP1（置換窒素）センターを熱処理によって結合させるとNVセンターに変換することが出来る。より効率よくNVセンターを形成するためにはその形成される過程を評価し、メカニズムを理解することが重要である。本研究では、P1センターが高濃度に含まれるダイヤモンド試料に対して電子線を照射することによってNVセンターを形成し、P1センターの濃度変化や形成されたNVセンターの電荷状態・総量と照射量の関係を調べた。