[25p-E305-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

△ [25p-E305-13] PbTiO3アレイトランスデューサの基板裏面での反射率測定による GHz 帯超音波イメージング

〇(B)小池 由奈^1,2、佐藤 裕友^1,2、松村 理司^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST)

キーワード：超音波イメージング、圧電デバイス、PbTiO3エピタキシャル薄膜

これまでにPb(ZrxTi1-x)O3 (PZT)系 pMUT を利用したイメージングデバイスが報告されている。 しかし pMUT は屈曲振動がゆえに駆動周波数 が数十MHz にとどまる。一方で厚み縦モードでは音響インピーダンス の整合は難しいが、GHz 帯の超音波を利用し、空間分解能を高めることができる。そこで厚み縦モードの AlN を用いた指紋イメージングが報告されているが、AlN の比誘電率は低く、電極面積を小さくすると測定系に対して電気的インピーダンスの整合が難しくなる。一方、PbTiO3 の比誘電率は高く、電極面積を小さくすることができ、空間分解能が さらに向上すると考えられる。そこで本研究でPbTiO3 トランスデューサをアレイ化 したデバイスで指紋イメージングを報告する。