[25p-E305-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

△ [25p-E305-14] 音響ブラッグ反射器上へのエピ圧電層の形成

〇渡海 智^1,2、浴田 航平^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST)

キーワード：エピタキシャル薄膜、BAWフィルタ、SMR

無線通信デバイス技術の急速な発展に伴い、耐電力性が高く、高周波化が容易であるBAW(Bulk Acoustic Wave)フィルタの需要は高まっている。BAWフィルタの中でも、SMR(Solidly Mounted Resonator)は、FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)に比べ構造的に強固で温度安定性も高いという特徴を持つ。また、エピタキシャル成長技術による単結晶圧電薄膜は、急峻性の高い周波数フィルタに応用できると考えられる。SMRの圧電層をエピタキシャル成長させることで、高い急峻性や耐電力性をもち構造安定性に優れた共振子を作製できると考える。そこで本研究では、スパッタ法と犠牲層エッチングにより、音響ブラッグ反射器上にエピタキシャル圧電薄膜を作製する方法を報告する。