[25p-E305-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [25p-E305-2] Ferroelectricity of (Al_1-xSc_x)N thin films with various electrodes

〇(M1)Reika Ota¹, Shinnosuke Yasuoka¹, Ryoichi Mizutani¹, Takahisa Shiraishi¹, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:ferroelectricity, AlScN, thin film

近年、低消費電力駆動が可能な強誘電体メモリへの期待が高まっている。(Al_1-xSc_x)Nは、従来材料と比較して非常に大きな残留分極値を持つことや、膜厚減少による本質的な強誘電性の劣化が無いなど応用上のメリットを持つ。我々は、これまでPt電極を用いて様々な(Al_1-xSc_x)N膜を作製し、強誘電特性の報告してきた。だがPtは微細化や大量生産などの観点からは実用化に最適とは言えない。そこで今回、種々の電極を用いた(Al_1-xSc_x)Nを作製、評価したので報告する。