[25p-E305-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

△ [25p-E305-4] 薄膜化による(Al,Sc)N膜の結晶異方性及び強誘電特性の向上

〇(D)安岡 慎之介¹、水谷 涼一¹、大田 怜佳¹、白石 貴久¹、清水 荘雄^1,2,3、安井 伸太郎¹、江原 祥隆⁴、西田 謙⁴、上原 雅人⁵、山田 浩志⁵、秋山 守人⁵、今井 康彦⁶、坂田 修身⁶、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.物材研、3.JSTさきがけ、4.防衛大、5.産総研、6.JASRI)

キーワード：強誘電体、(AlSc)N、薄膜

ペロブスカイト型構造の強誘電体材料はサイズ効果によって、膜厚の減少に伴う残留分極値P_rの減少が知られている。強誘電体(Al,Sc)Nにおける膜厚依存性の研究はこれまでにいくつか報告されているが、薄膜化に伴う結晶構造解析の困難さから強誘電特性と結晶構造の関係については詳細に議論されていない。本研究では放射光を用いた高輝度かつ高強度のX線回折により、膜厚12~130 nmの(Al,Sc)N膜の結晶構造と強誘電特性の関係を調査したので報告する。