[25p-P09-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[25p-P09-8] 光電変換膜積層型撮像デバイスにおける電子注入阻止層としての酸化ニッケルの膜質の影響

〇峰尾 圭忠¹、為村 成亨¹、宮川 和典¹、杉山 睦²、難波 正和¹ (1.NHK技研、2.東理大)

キーワード：酸化ニッケル、イメージセンサー、酸化ガリウム

結晶セレンを吸収層に、電極からの正孔と電子の注入を防ぐ層として酸化ガリウムと酸化ニッケルをそれぞれ使用した光電変換膜を用いて高感度なイメージセンサーの実現を目指している。これまでに光電変換膜とCMOS回路をそれぞれ別の基板に作製したのちに接合する光電変換膜接合型撮像デバイスを提案し、増倍率3倍の画像の取得に成功している。今回は、電子注入阻止層である酸化ニッケルの膜質が特性に与える影響を報告する。