[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-7] ALD により成膜したSiO₂/Al₂O₃ 2 層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性Ⅱ

〇戸田 圭太郎¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、原子堆積法、高電子移動度トランジスタ

金属/絶縁体/半導体(MIS)型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はゲートリーク電流(I_g)を低減し、高いゲート電圧を印加することができるため、次世代のパワーデバイス用途として精力的に研究されている。Al₂O₃とSiO₂の2層絶縁膜を用いることでI/Sの界面特性が良く、I_gが抑制されたデバイスを作製することができると考えられ、これまでに研究報告がなされている。本研究ではゲート部だけではなく、SiO₂絶縁膜全面にO₂プラズマ処理を施したゲートリセス構造を有するMIS-HEMTを作製し、その温度特性を評価した。