[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-8] ノーマリーオフ GaN PSJ FET

〇八木 修一¹、中村 嘉孝¹、神山 祐輔¹、北原 諒二¹、伊佐 雄太¹、成井 啓修¹、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩² (1.パウデック、2.名大未来材料・システム研)

キーワード：窒化ガリウム、ノーマリーオフ

サファイア基板上にPSJ構造を形成し、リセス構造を用いないノーマリーオフ型のGaN PSJ FET を試作した。オン抵抗は70mΩ、ドレイン電流が1mA流れる際の電圧をしきい値電圧とした時に、しきい値電圧は0.7Vだった。ゲート電圧が0Vの時に耐圧は800V以上だった。抵抗負荷による400Vのスイッチング評価において、電流コラプスの影響は確認できなかった。