[26a-E103-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[26a-E103-3] GeO₂/Ge界面におけるPost Metallization Annealingの導入

〇松浦 空吾¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体