[26a-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[26a-E104-10] Investigation of the effect of multicrystalline Si nano-facet structure on dislocation generation by stress analysis

Kenta Yamakoshi¹, 〇Yutaka Ohno², Kentaro Kutsukake³, Takuto Kojima⁴, Hiroaki Kudo⁴, Hiroyuki Tanaka¹, Noritaka Usami¹ (1.GSE, Nagoya Univ., 2.IMR, Tohoku Univ., 3.AIP, RIKEN, 4.GSI, Nagoya Univ.)

Keywords:grain boundaries, Silicon, dislocations

転位の発生領域に存在する粒界にはナノファセットがTEM観察されたため、TEMデータを基にナノファセットの3次元モデルを作成して応力計算を行い、ナノファセット近傍での応力分布を調査した。せん断応力が粒界に集中しており、転位が発生した結晶粒により大きい応力がかかっていることが明らかになった。この応力の集中は転位発生の駆動力になりうる.。当日は転位の発生メカニズムについて、すべり系の視点から議論する。