The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sat. Mar 26, 2022 1:00 PM - 4:45 PM E202 (E202)

Kohei Sasaki(Novel Crystal Technology), Oshima Yuichi(NIMS)

3:45 PM - 4:00 PM

[26p-E202-11] Characterization of physical properties of β-Ga2O3 thin films grown on c-plane sapphire substrates by a chemical solution deposition method

〇Masatoshi Koyama1, Kazuaki Toyoda1, Ryosuke Ouchi1, Nobuya Hiroshiba1, Kazuto Koike1 (1.Osaka Inst. Tech.)

Keywords:Gallium oxide, Ga2O3, chemical solution deposition method

Ga2O3は約5.0 eVのバンドギャップを持つ半導体材料として,パワーデバイスや深紫外光検出デバイスへの応用が期待されている.本研究では,非真空かつ簡便な装置構成で比較的平坦な薄膜の成膜が可能であり,膜厚制御性にも優れた手法である溶液塗布熱分解法に注目し,溶液塗布熱分解法を用いてc 面サファイア基板上にGa2O3薄膜の成膜を試み,その物性評価を行なった結果について報告する.

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