[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-4] Growth of Beta-Phase Ga₂O₃ Crystals on a Sapphire and Ga₂O₃ Substrates by OVPE Method

〇Masayuki Imanishi¹, Haruya Kobayashi¹, Kanako Okumura¹, Keisuke Hosokawa¹, Shigeyoshi Usami¹, Rie Togashi², Masahiko Hata³, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.Sophia Univ., 3.Itochu Plastics Inc.)

Keywords:Gallium Oxide, OVPE, homoepitaxial growth

我々はこれまでにオキサイド気相成長法（OVPE）法を用い，低転位GaN基板の開発を行ってきた．当該手法はⅢ属源としてGa₂Oガス，Ⅴ族源としてアンモニアを利用するが，Ⅴ属源を酸化物に置き換えることでⅥ属源として供給し，Ga₂O₃結晶の成長も可能であると考えた．当該手法では原料分子種に塩化物を用いず，より簡便な成長手法となりうる．そこで今回，Ⅵ属源にH₂Oガスを利用したOVPE法によりGa₂O₃結晶が成長可能か検証を行った．